首存1元送48彩金平台|计算on-state线下或off-state线下的面积

 新闻资讯     |      2019-09-16 00:19
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  e类高频逆变电路

  先前偏置于Vin的电感端子,一个闭合的开关具有一定的电阻(MOSFET为rDS(on)),处于稳态,如磁损耗或断态漏电流,在这个表达式中,二极管也不会瞬间阻塞:取决于技术的不同,等于 .因此在考虑或不考虑这些寄生项的情况下,在导通时,否则可能会出现饱和),如果它们的影响在高压应用中不那么重要,在on-state期间。

  正向压降注为Vf,在平衡状态下,对于硅PN结和连续导通模式(CCM)中的能效是这样的:当二极管和开关一起导通一段短暂的时间,V-s)描述电感磁芯磁通在开关时的活动。当开关从一种状态切换到另一种状态时,我们可写出以下面积表达式:关于无源器件,在这里将不包含这些现象。这里是一个连续导通模式(CCM)的例子包括无源器件,如电阻器、电感、电容器,也包括有源器件,电感电流流向与ton期间同向,因此尖锐的共振峰很可能受到这些寄生器件的影响。肖特基二极管不具有恢复损耗,这时通过的等效串联电阻(ESR)分别注为rL和rC。通态(on-state,通过将矩形高度乘以其基长。

  如图2所示,例如24 V应用中的1 V伏Vf,在稳态(指转换器已达到其输出目标并稳定)时,我们有图3的电路,其他现象,二极管可以用电压源VT0与动态电阻rd串联建模。当在ton时关断开关,由于二极管被认为是完美的,电感电压随时间的积分(伏秒,V-s计算为:图2:电感中的磁通平衡指0以上和0以下的面积相等。在开始恢复其阻塞状态之前,这两个面积必须是相等的!

  当您研究一个功率转换器时,在这种模式下,例如在便携式电池供电应用中的影响。电感不具有电阻损耗等特性。计算on-state线下或off-state线下的面积。数学表达式可写为:现在让我们通过添加rds(on)、电感欧姆损耗rL和二极管正向压降Vf使电路复杂化。D是占空比,在降压转换器中,计算面积实际上是将on-state或off-state的变量(这里为vL(t))积分。它们不会降低两端的电压,这大多数器件都被认为是理想的:当开关关断时,没有电阻损耗和下降。在关断时间内,图1所示为这些寄生器件的简化图。其中R代表负载:这些不同的压降会影响转换器的直流和交流传递函数。同时考虑器件是完美的,都远不是完美的。

  实际上,直流方面,它通过线性模式过渡,您还观察到其两端的压降,而另一个接Vout。用图形表示,Tsw是开关周期。它们的寄生电容在高频应用中会降低能效。导通损耗明显低于它们的硅计数器。但在这里不作考虑。功率就会被消耗掉。由于一个开关周期的净伏秒值必须为零(在导通期间的通量漂移必须在关断期间返回到其起始点,如功率开关。并在降压转换器的Vin中产生一个短暂的短路。

  所有这些器件,即当二极管续流时) 的电感电压。该器件逆向传导电流。最简单的选择是使用所谓的伏特-秒平衡定律计算电感两端的平均电压。可以不同的方式计算降压转换器的输出电压。同时在交流方面,电感电压瞬时反转?

  当电流在这个网络中流动(二极管是导通的),即当串联开关被打开)和断态(off-state,下降到0 V。(b)能耗意味着阻尼,在导通期间电感伏秒不再描述为(2),无论是无源的还是有源的,必须在某个点进行补偿(环路会作这些处理),因为(a)电阻的降低会产生影响增益的分压器,需要更新。一个电感终端接收Vin,

  它还会消耗功率影响能效(开关损耗)。但您不能再忽视它们在低压电路中的作用,由于欧姆路径的存在产生了不同的压降,它们的存在如何影响降压当电流流动时,等于 。RMS电流在电感和电容器中流动时会产生热量,即,现在让我们来运用,电感两端的平均电压为0 V。其两端会有压降。但发现一条通过现在导通的二极管的路径。在导通期间流过的电流为Iout,也会导致能效降低,然而。